Multiple Coulomb scattering in thin silicon

• Verfasst von: Berger, Niklaus [VerfasserIn]
• Verfasst von: Förster, Fabian [VerfasserIn]
• Verfasst von: Kiehn, Moritz [VerfasserIn]
• Verfasst von: Philipp, Raphael [VerfasserIn]
• Verfasst von: Schöning, André [VerfasserIn]
• Verfasst von: Wiedner, Dirk [VerfasserIn]
• Titel: Multiple Coulomb scattering in thin silicon
• Verf.angabe: N. Berger, A. Buniatyan, P. Eckert, F. Förster, R. Gredig, O. Kovalenko, M. Kiehn, R. Philipp, A. Schöning and D. Wiedner
• E-Jahr: 2014
• Jahr: 4 July 2014
• Umfang: ? S.
• Fussnoten: Gesehen am 11.08.2020
• Titel Quelle: Enthalten in: Journal of Instrumentation
• Ort Quelle: London : Inst. of Physics, 2006
• Jahr Quelle: 2014
• Band/Heft Quelle: 9(2014,07) Artikel-Nummer P07007
• ISSN Quelle: 1748-0221
• DOI: doi:10.1088/1748-0221/9/07/P07007
• Datenträger: Online-Ressource
• Sprache: eng
• K10plus-PPN: 1726752658

Abstract

We present a measurement of multiple Coulomb scattering of 1 to 6 GeV/c electrons in thin (50-140 μm) silicon targets. The data were obtained with the EUDET telescope Aconite at DESY and are compared to parametrisations as used in the Geant4 software package. We find good agreement between data and simulation in the scattering distribution width but large deviations in the shape of the distribution. In order to achieve a better description of the shape, a new scattering model based on a Student's t distribution is developed and compared to the data.