| Online-Ressource |
Verfasst von: | Miucci, Antonio [VerfasserIn]  |
| Gonella, L. [VerfasserIn]  |
| Hemperek, T. [VerfasserIn]  |
| Hügging, F. [VerfasserIn]  |
| Krüger, H. [VerfasserIn]  |
| Obermann, T. [VerfasserIn]  |
| Wermes, N. [VerfasserIn]  |
| Garcia-Sciveres, M. [VerfasserIn]  |
| Backhaus, M. [VerfasserIn]  |
| Capeans, M. [VerfasserIn]  |
| Feigl, S. [VerfasserIn]  |
| Nessi, M. [VerfasserIn]  |
| Pernegger, H. [VerfasserIn]  |
| Ristic, B. [VerfasserIn]  |
| Gonzalez-Sevilla, S. [VerfasserIn]  |
| Ferrere, D. [VerfasserIn]  |
| Iacobucci, G. [VerfasserIn]  |
| Rosa, A. La [VerfasserIn]  |
| Muenstermann, D. [VerfasserIn]  |
| George, M. [VerfasserIn]  |
| Große-Knetter, J. [VerfasserIn]  |
| Quadt, A. [VerfasserIn]  |
| Rieger, J. [VerfasserIn]  |
| Weingarten, J. [VerfasserIn]  |
| Bates, R. [VerfasserIn]  |
| Blue, A. [VerfasserIn]  |
| Buttar, C. [VerfasserIn]  |
| Hynds, D. [VerfasserIn]  |
| Kreidl, Christian [VerfasserIn]  |
| Peric, Ivan [VerfasserIn]  |
| Breugnon, P. [VerfasserIn]  |
| Pangaud, P. [VerfasserIn]  |
| Godiot-Basolo, S. [VerfasserIn]  |
| Fougeron, D. [VerfasserIn]  |
| Bompard, F. [VerfasserIn]  |
| Clemens, J. C. [VerfasserIn]  |
| Liu, J. [VerfasserIn]  |
| Barbero, M. [VerfasserIn]  |
| Rozanov, A. [VerfasserIn]  |
Titel: | Radiation-hard active pixel sensors for HL-LHC detector upgrades based on HV-CMOS technology |
Verf.angabe: | A. Miucci, L. Gonella, T. Hemperek, F. Hügging, H. Krüger, T. Obermann, N. Wermes, M. Garcia-Sciveres, M. Backhaus, M. Capeans, S. Feigl, M. Nessi, H. Pernegger, B. Ristic, S. Gonzalez-Sevilla, D. Ferrere, G. Iacobucci, A. La Rosa, D. Muenstermann, M. George, J. Große-Knetter, A. Quadt, J. Rieger, J. Weingarten, R. Bates, A. Blue, C. Buttar, D. Hynds, C. Kreidl, I. Peric, P. Breugnon, P. Pangaud, S. Godiot-Basolo, D. Fougeron, F. Bompard, J. C. Clemens, J. Liu, M. Barbero and A. Rozanov for HV-CMOS collaboration |
E-Jahr: | 2014 |
Jahr: | May 30, 2014 |
Umfang: | 6 S. |
Fussnoten: | Gesehen am 27.08.2020 |
Titel Quelle: | Enthalten in: Journal of Instrumentation |
Ort Quelle: | London : Inst. of Physics, 2006 |
Jahr Quelle: | 2014 |
Band/Heft Quelle: | 9(2014,05) Artikel-Nummer C05064, 6 Seiten |
ISSN Quelle: | 1748-0221 |
Abstract: | Luminosity upgrades are discussed for the LHC (HL-LHC) which would make updates to the detectors necessary, requiring in particular new, even more radiation-hard and granular, sensors for the inner detector region. A proposal for the next generation of inner detectors is based on HV-CMOS: a new family of silicon sensors based on commercial high-voltage CMOS technology, which enables the fabrication of part of the pixel electronics inside the silicon substrate itself. The main advantages of this technology with respect to the standard silicon sensor technology are: low material budget, fast charge collection time, high radiation tolerance, low cost and operation at room temperature. A traditional readout chip is still needed to receive and organize the data from the active sensor and to handle high-level functionality such as trigger management. HV-CMOS has been designed to be compatible with both pixel and strip readout. In this paper an overview of HV2FEI4, a HV-CMOS prototype in 180 nm AMS technology, will be given. Preliminary results after neutron and X-ray irradiation are shown. |
DOI: | doi:10.1088/1748-0221/9/05/C05064 |
URL: | Bitte beachten Sie: Dies ist ein Bibliographieeintrag. Ein Volltextzugriff für Mitglieder der Universität besteht hier nur, falls für die entsprechende Zeitschrift/den entsprechenden Sammelband ein Abonnement besteht oder es sich um einen OpenAccess-Titel handelt.
Volltext: https://doi.org/10.1088/1748-0221/9/05/C05064 |
| DOI: https://doi.org/10.1088/1748-0221/9/05/C05064 |
Datenträger: | Online-Ressource |
Sprache: | eng |
K10plus-PPN: | 172791094X |
Verknüpfungen: | → Zeitschrift |
Radiation-hard active pixel sensors for HL-LHC detector upgrades based on HV-CMOS technology / Miucci, Antonio [VerfasserIn]; May 30, 2014 (Online-Ressource)