Status: Bibliographieeintrag
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Exemplare:
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| Verfasst von: | Grimm, Stefan [VerfasserIn]  |
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| | Zaumseil, Jana [VerfasserIn] |
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| Titel: | Mapping charge-carrier density across the p-n junction in ambipolar carbon-nanotube networks by Raman microscopy |
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| Verf.angabe: | Stefan B. Grimm, Florian Jakubka, Stefan P. Schießl, Florentina Gannott, and Jana Zaumseil |
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| E-Jahr: | 2014 |
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| Jahr: | 22 October 2014 |
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| Umfang: | 7 S. |
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| Fussnoten: | Gesehen am 20.10.2020 |
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| Titel Quelle: | Enthalten in: Advanced materials |
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| Ort Quelle: | Weinheim : Wiley-VCH, 1989 |
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| Jahr Quelle: | 2014 |
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| Band/Heft Quelle: | 26(2014), 47, Seite 7986-7992 |
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| ISSN Quelle: | 1521-4095 |
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| Abstract: | In situ confocal Raman microscopy is used to map the recombination zone (induced p-n junction) in an ambipolar carbon-nanotube-network transistor with high spatial resolution. The shift of the 2D mode (G’ mode) depending on hole and electron accumulation serves as a measure for the local charge-carrier density and provides complementary information about charge transport and recombination in ambipolar transistors. |
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| DOI: | doi:10.1002/adma.201403655 |
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Volltext ; Verlag: https://doi.org/10.1002/adma.201403655 |
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| | Volltext: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.201403655 |
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| | DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201403655 |
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| Datenträger: | Online-Ressource |
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| Sprache: | eng |
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| Sach-SW: | ambipolar |
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| | carbon nanotubes |
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| | electrolyte-gating |
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| | mapping |
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| | Raman microscopy |
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| K10plus-PPN: | 173601305X |
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| Verknüpfungen: | → Zeitschrift |
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Mapping charge-carrier density across the p-n junction in ambipolar carbon-nanotube networks by Raman microscopy / Grimm, Stefan [VerfasserIn]; 22 October 2014 (Online-Ressource)
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