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Universitätsbibliothek Heidelberg
Status: Bibliographieeintrag

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Verfasst von:Kremastiotis, Iraklis [VerfasserIn]   i
 Ballabriga, R. [VerfasserIn]   i
 Campbell, M. [VerfasserIn]   i
 Dannheim, D. [VerfasserIn]   i
 Dort, K. [VerfasserIn]   i
 Egidos, N. [VerfasserIn]   i
 Kröger, Jens [VerfasserIn]   i
 Linssen, L. [VerfasserIn]   i
 Llopart, X. [VerfasserIn]   i
 Munker, M. [VerfasserIn]   i
 Nürnberg, A. [VerfasserIn]   i
 Peric, I. [VerfasserIn]   i
 Spannagel, S. [VerfasserIn]   i
 Vanat, T. [VerfasserIn]   i
 Williams, M. [VerfasserIn]   i
Titel:Design and characterization of the CLICTD pixelated monolithic sensor chip
Verf.angabe:I. Kremastiotis, R. Ballabriga, M. Campbell, D. Dannheim, K. Dort, N. Egidos, J. Kröger, L. Linssen, X. Llopart, M. Munker, A. Nürnberg, I. Peric, S. Spannagel, T. Vanat, and M. Williams
E-Jahr:2020
Jahr:27 August 2020
Umfang:10 S.
Fussnoten:Gesehen am 14.12.2020
Titel Quelle:Enthalten in: Institute of Electrical and Electronics EngineersIEEE transactions on nuclear science
Ort Quelle:New York, NY : IEEE, 1963
Jahr Quelle:2020
Band/Heft Quelle:67(2020), 10, Seite 2263-2272
ISSN Quelle:1558-1578
Abstract:A novel monolithic pixelated sensor and readout chip, the compact linear collider tracker detector (CLICTD) chip, is presented. The CLICTD chip was designed targeting the requirements of the silicon tracker development for the experiment at the compact linear collider (CLIC) and has been fabricated in a modified 180 nm CMOS imaging process with charge collection on a high-resistivity p-type epitaxial layer. The chip features a matrix of 16 × 128 elongated channels, each measuring 300 × 30 μm2. Each channel contains 8 equidistant collection electrodes and analog readout circuits to ensure prompt signal formation. A simultaneous 8-bit time-of-arrival (with 10 ns time bins) and 5-bit time-over-threshold measurement is performed on the combined digital output of the 8 subpixels in every channel. The chip has been fabricated in two process variants and characterized in laboratory measurements using electrical test pulses and radiation sources. Results show a minimum threshold between 135 and 180 e and a noise of about 14 e- rms. The design aspects and characterization results of the CLICTD chip are presented.
DOI:doi:10.1109/TNS.2020.3019887
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Volltext ; Verlag: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.3019887
 Volltext: https://ieeexplore.ieee.org/document/9178777/authors#authors
 DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.3019887
Datenträger:Online-Ressource
Sprache:eng
Sach-SW:analog readout circuits
 analogue-digital conversion
 Capacitance
 charge collection
 CLICTD chip
 CLICTD pixelated monolithic sensor chip
 CMOS
 CMOS image sensors
 CMOS integrated circuits
 compact linear collider tracker detector chip
 Detectors
 Electrodes
 elongated channels
 Epitaxial layers
 equidistant collection electrodes
 Monolithic CMOS sensors
 novel monolithic
 nuclear electronics
 p-type epitaxial layer
 position sensitive particle detectors
 readout chip
 readout electronics
 semiconductor counters
 Semiconductor device measurement
 silicon
 Silicon
 silicon pixel detectors
 silicon radiation detectors
 silicon tracker development
 Substrates
K10plus-PPN:1742734472
Verknüpfungen:→ Zeitschrift

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