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Universitätsbibliothek Heidelberg
Status: Bibliographieeintrag

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Verfasst von:Ghosh, Anirudha [VerfasserIn]   i
 Singh, D. [VerfasserIn]   i
 Aramaki, T. [VerfasserIn]   i
 Mu, Qingge [VerfasserIn]   i
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 Haider, G. [VerfasserIn]   i
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 Chareev, D. [VerfasserIn]   i
 Medvedev, S. A. [VerfasserIn]   i
 Klingeler, Rüdiger [VerfasserIn]   i
 Mito, M. [VerfasserIn]   i
 Abdul-Hafidh, E. H. [VerfasserIn]   i
 Vejpravova, J. [VerfasserIn]   i
 Kalbàč, M. [VerfasserIn]   i
 Ahuja, R. [VerfasserIn]   i
 Eriksson, Olle [VerfasserIn]   i
 Abdel-Hafiez, Mahmoud [VerfasserIn]   i
Titel:Exotic magnetic and electronic properties of layered CrI3 single crystals under high pressure
Verf.angabe:Anirudha Ghosh, D. Singh, T. Aramaki, Qingge Mu, V. Borisov, Y. Kvashnin, G. Haider, M. Jonak, D. Chareev, S.A. Medvedev, R. Klingeler, M. Mito, E.H. Abdul-Hafidh, J. Vejpravova, M. Kalbàč, R. Ahuja, Olle Eriksson, and Mahmoud Abdel-Hafiez
E-Jahr:2022
Jahr:8 February 2022
Umfang:6 S.
Fussnoten:Gesehen am 22.03.2022
Titel Quelle:Enthalten in: Physical review
Ort Quelle:Woodbury, NY : Inst., 2016
Jahr Quelle:2022
Band/Heft Quelle:105(2022), 8, Artikel-ID L081104, Seite 1-6
ISSN Quelle:2469-9969
Abstract:Through advanced experimental techniques on CrI3 single crystals, we derive a pressure-temperature phase diagram. We find that Tc increases to ∼66 K with pressure up to ∼3 GPa followed by a decrease to ∼10 K at 21.2 GPa. The experimental results are reproduced by theoretical calculations based on density functional theory where electron-electron interactions are treated by a static on-site Hubbard U on Cr 3d orbitals. The origin of the pressure-induced reduction of the ordering temperature is associated with a decrease in the calculated bond angle, from 95∘ at ambient pressure to ∼85∘ at 25 GPa. Above 22 GPa, experiment and theory jointly point to the idea that the ferromagnetically ordered state is destroyed, giving rise first to a complex, unknown magnetic configuration, and at sufficiently high pressures a pure antiferromagnetic configuration. This sequence of transitions in the magnetism is accompanied by a well-detected pressure-induced semiconductor-to-metal phase transition that is revealed by both high-pressure resistivity measurements and ab initio theory.
DOI:doi:10.1103/PhysRevB.105.L081104
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Volltext ; Verlag: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.L081104
 Volltext: https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.105.L081104
 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.L081104
Datenträger:Online-Ressource
Sprache:eng
K10plus-PPN:1796259586
Verknüpfungen:→ Zeitschrift

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