| |  Online-Ressource |
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| Verfasst von: | Schießl, Stefan Patrick [VerfasserIn]  |
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| | Gannott, Florentina [VerfasserIn] |
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| | Etschel, Sebastian H. [VerfasserIn] |
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| | Schweiger, Kai Manuel [VerfasserIn] |
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| | Grünler, Saeideh [VerfasserIn] |
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| | Halik, Marcus [VerfasserIn] |
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| | Zaumseil, Jana [VerfasserIn] |
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| Titel: | Self-assembled monolayer dielectrics for low-voltage carbon nanotube transistors with controlled network density |
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| Verf.angabe: | Stefan P. Schießl, Florentina Gannott, Sebastian H. Etschel, Manuel Schweiger, Saeideh Grünler, Marcus Halik, and Jana Zaumseil |
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| E-Jahr: | 2016 |
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| Jahr: | July 20, 2016 |
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| Fussnoten: | Gesehen am 14.05.2020 |
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| Titel Quelle: | Enthalten in: Advanced materials interfaces |
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| Ort Quelle: | Weinheim : Wiley-VCH, 2014 |
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| Jahr Quelle: | 2016 |
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| Band/Heft Quelle: | 3(2016,18) Artikel-Nummer 600215, 8 Seiten |
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| ISSN Quelle: | 2196-7350 |
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| Abstract: | Control of the density and uniformity of semiconducting single-walled carbon nanotube (SWNT) networks is crucial for their application in field-effect transistors (FETs) and critically depends on the surface of the substrate. Here, the concept of self-assembled monolayer (SAM) dielectrics on aluminum/aluminum oxide bottom-gate electrodes is used to create low-voltage (<2 V) FETs with SWNT networks. |
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| DOI: | doi:10.1002/admi.201600215 |
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Volltext ; Verlag: https://doi.org/10.1002/admi.201600215 |
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| | Volltext: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/admi.201600215 |
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| | DOI: https://doi.org/10.1002/admi.201600215 |
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| Datenträger: | Online-Ressource |
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| Sprache: | eng |
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| Sach-SW: | dielectric interfaces |
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| | field-effect transistors |
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| | self-assembled monolayers |
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| | single-walled carbon nanotubes |
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| K10plus-PPN: | 1698228112 |
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| Verknüpfungen: | → Zeitschrift |
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Self-assembled monolayer dielectrics for low-voltage carbon nanotube transistors with controlled network density / Schießl, Stefan Patrick [VerfasserIn]; July 20, 2016 (Online-Ressource)
